Справочник MOSFET. PE8C2BA

 

PE8C2BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PE8C2BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3P
 

 Аналог (замена) для PE8C2BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE8C2BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:403K  niko-sem
 pe8c2ba.pdf pdf_icon

PE8C2BA

N-Channel Enhancement Mode PE8C2BA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3x3P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D40V 9.5m 33A GFeatures S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. D D D DG.

Другие MOSFET... PE6R8DX , PE6W2EA , PE6W8DX , PE848DU , PE854DT , PE898BA , PE8A8BA , PE8B0BA , IRF740 , PE8D8BA , PECH1EU , PECJ1EU , PEE28BB , PEE50BB , PF515BM , PF5B3BA , PF5G3EA .

History: SVF2N60CNF | PHD82NQ03LT | BUK9624-55A | BSC084P03NS3G | 2SK1446

 

 
Back to Top

 


 
.