PE8C2BA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PE8C2BA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3P

Аналог (замена) для PE8C2BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE8C2BA даташит

 ..1. Size:403K  niko-sem
 pe8c2ba.pdf pdf_icon

PE8C2BA

N-Channel Enhancement Mode PE8C2BA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3x3P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D 40V 9.5m 33A G Features S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. D D D D G.

Другие IGBT... PE6R8DX, PE6W2EA, PE6W8DX, PE848DU, PE854DT, PE898BA, PE8A8BA, PE8B0BA, IRF740, PE8D8BA, PECH1EU, PECJ1EU, PEE28BB, PEE50BB, PF515BM, PF5B3BA, PF5G3EA