PECJ1EU Todos los transistores

 

PECJ1EU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PECJ1EU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 82 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 423 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3.3X3.3S
 

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PECJ1EU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:407K  niko-sem
 pecj1eu.pdf pdf_icon

PECJ1EU

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PECJ1EU NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3.3x3.3S Halogen-free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -40V 8.5m -50A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

Otros transistores... PE848DU , PE854DT , PE898BA , PE8A8BA , PE8B0BA , PE8C2BA , PE8D8BA , PECH1EU , IRF540 , PEE28BB , PEE50BB , PF515BM , PF5B3BA , PF5G3EA , PF608BA , PG1010BD , PG1010BK .

History: FDFS2P753AZ | AON7528 | HGA110N10SL | SSM3J35FS | 1N60L-T60-K

 

 
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