PECJ1EU Todos los transistores

 

PECJ1EU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PECJ1EU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 82 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 423 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3.3X3.3S
     - Selección de transistores por parámetros

 

PECJ1EU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:407K  niko-sem
 pecj1eu.pdf pdf_icon

PECJ1EU

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PECJ1EU NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3.3x3.3S Halogen-free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -40V 8.5m -50A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STP45NE06FP | SML120B8 | RTL035N03FRA

 

 
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