PECJ1EU - аналоги и даташиты транзистора

 

PECJ1EU - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PECJ1EU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 82 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 423 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3.3X3.3S
 

 Аналог (замена) для PECJ1EU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PECJ1EU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:407K  niko-sem
 pecj1eu.pdf pdf_icon

PECJ1EU

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PECJ1EU NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3.3x3.3S Halogen-free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -40V 8.5m -50A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

Другие MOSFET... PE848DU , PE854DT , PE898BA , PE8A8BA , PE8B0BA , PE8C2BA , PE8D8BA , PECH1EU , IRF540 , PEE28BB , PEE50BB , PF515BM , PF5B3BA , PF5G3EA , PF608BA , PG1010BD , PG1010BK .

History: PG2910BD | 4N65G-TM3-T | HSBE2738

 

 
Back to Top

 


 
.