PECJ1EU. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PECJ1EU
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 82 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 423 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: PDFN3.3X3.3S
Аналог (замена) для PECJ1EU
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
PECJ1EU даташит
Другие IGBT... PE848DU, PE854DT, PE898BA, PE8A8BA, PE8B0BA, PE8C2BA, PE8D8BA, PECH1EU, IRF540N, PEE28BB, PEE50BB, PF515BM, PF5B3BA, PF5G3EA, PF608BA, PG1010BD, PG1010BK
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet

