PG3510HEA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PG3510HEA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 17.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: PDFN3X3P

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PG3510HEA datasheet

 ..1. Size:416K  niko-sem
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PG3510HEA

PG3510HEA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 100V 35m 15A D1 D1 D2 D2 G. GATE D. DRAIN S. SOURCE 100% UIS Tested #1 S1 G1 S2 G2 100% Rg Tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source

 9.1. Size:25K  panasonic
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PG3510HEA

IGBTs 2PG351 2PG351 Insulated Gate Bipolar Transistor Unit mm Features 7.0 0.3 3.5 0.2 High breakdown voltage VCES= 400V 3.0 0.2 Large current control possible IC(peak)=130A Housing in the surface mounting package possible Applications 1.1 0.1 0.85 0.1 For camera flash-light 0.75 0.1 0.4 0.1 2.3 0.2 4.6 0.4 Absolute Maximum Ratings (Tc = 25 C) 1 2

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