Справочник MOSFET. PG3510HEA

 

PG3510HEA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PG3510HEA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3P
 

 Аналог (замена) для PG3510HEA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PG3510HEA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:416K  niko-sem
 pg3510hea.pdf pdf_icon

PG3510HEA

PG3510HEA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 100V 35m 15A D1 D1 D2 D2G. GATE D. DRAIN S. SOURCE 100% UIS Tested #1 S1 G1 S2 G2100% Rg Tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source

 9.1. Size:25K  panasonic
 2pg351.pdf pdf_icon

PG3510HEA

IGBTs 2PG3512PG351Insulated Gate Bipolar TransistorUnit : mm Features7.0 0.3 3.5 0.2 High breakdown voltage : VCES= 400V3.0 0.2 Large current control possible : IC(peak)=130A Housing in the surface mounting package possible Applications1.1 0.1 0.85 0.1 For camera flash-light 0.75 0.1 0.4 0.12.3 0.24.6 0.4 Absolute Maximum Ratings (Tc = 25C)1 2

Другие MOSFET... PF5B3BA , PF5G3EA , PF608BA , PG1010BD , PG1010BK , PG2910BD , PG2910BEA , PG2910BK , AON6414A , PG8E10AF , PG8E10AK , PI504BZ , PI517BZ , PI5B3BA , PJ527BA , PJ601CA , PJ611CA .

 

 
Back to Top

 


 
.