PG3510HEA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PG3510HEA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3P

Аналог (замена) для PG3510HEA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PG3510HEA даташит

 ..1. Size:416K  niko-sem
 pg3510hea.pdf pdf_icon

PG3510HEA

PG3510HEA N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 3x3P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 100V 35m 15A D1 D1 D2 D2 G. GATE D. DRAIN S. SOURCE 100% UIS Tested #1 S1 G1 S2 G2 100% Rg Tested ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source

 9.1. Size:25K  panasonic
 2pg351.pdf pdf_icon

PG3510HEA

IGBTs 2PG351 2PG351 Insulated Gate Bipolar Transistor Unit mm Features 7.0 0.3 3.5 0.2 High breakdown voltage VCES= 400V 3.0 0.2 Large current control possible IC(peak)=130A Housing in the surface mounting package possible Applications 1.1 0.1 0.85 0.1 For camera flash-light 0.75 0.1 0.4 0.1 2.3 0.2 4.6 0.4 Absolute Maximum Ratings (Tc = 25 C) 1 2

Другие IGBT... PF5B3BA, PF5G3EA, PF608BA, PG1010BD, PG1010BK, PG2910BD, PG2910BEA, PG2910BK, IRFB4227, PG8E10AF, PG8E10AK, PI504BZ, PI517BZ, PI5B3BA, PJ527BA, PJ601CA, PJ611CA