PG8E10AF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PG8E10AF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 293 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PG8E10AF

PG8E10AF Datasheet (PDF)

..1. Size:251K niko-sem
pg8e10af.pdf

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7.1. Size:295K niko-sem
pg8e10ak.pdf

N-Channel Enhancement Mode PG8E10AK NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DD D D DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G100V 8.2m 69A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S GSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Vo

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Liste

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