Справочник MOSFET. PG8E10AF

 

PG8E10AF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PG8E10AF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 293 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для PG8E10AF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PG8E10AF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:251K  niko-sem
 pg8e10af.pdf pdf_icon

PG8E10AF

N-Channel Enhancement Mode PG8E10AF NIKO-SEM TO-220F Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY DV(BR)DSS RDS(ON) ID 100V 8.5m 47A 1. GATE G2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC

 7.1. Size:295K  niko-sem
 pg8e10ak.pdf pdf_icon

PG8E10AF

N-Channel Enhancement Mode PG8E10AK NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DD D D DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G100V 8.2m 69A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S GSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Vo

Другие MOSFET... PF5G3EA , PF608BA , PG1010BD , PG1010BK , PG2910BD , PG2910BEA , PG2910BK , PG3510HEA , P55NF06 , PG8E10AK , PI504BZ , PI517BZ , PI5B3BA , PJ527BA , PJ601CA , PJ611CA , PJ616CA-T .

History: SM4034NSKP | HCS60R150ST | 25N10L-TF3-T | MME70R380PRH | IRFP440R | QS8M51 | CS12N65FA9R

 

 
Back to Top

 


 
.