PG8E10AF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PG8E10AF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 293 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для PG8E10AF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PG8E10AF даташит

 ..1. Size:251K  niko-sem
 pg8e10af.pdf pdf_icon

PG8E10AF

N-Channel Enhancement Mode PG8E10AF NIKO-SEM TO-220F Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID 100V 8.5m 47A 1. GATE G 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC

 7.1. Size:295K  niko-sem
 pg8e10ak.pdf pdf_icon

PG8E10AF

N-Channel Enhancement Mode PG8E10AK NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D D D D D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 100V 8.2m 69A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Vo

Другие IGBT... PF5G3EA, PF608BA, PG1010BD, PG1010BK, PG2910BD, PG2910BEA, PG2910BK, PG3510HEA, IRF3710, PG8E10AK, PI504BZ, PI517BZ, PI5B3BA, PJ527BA, PJ601CA, PJ611CA, PJ616CA-T