PI504BZ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PI504BZ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 157 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: TO-251

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PI504BZ datasheet

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PI504BZ

N-Channel Enhancement Mode PI504BZ NIKO-SEM TO-251(IS) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G 2. DRAIN 30V 9m 47A 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C

Otros transistores... PG1010BD, PG1010BK, PG2910BD, PG2910BEA, PG2910BK, PG3510HEA, PG8E10AF, PG8E10AK, AON6414A, PI517BZ, PI5B3BA, PJ527BA, PJ601CA, PJ611CA, PJ616CA-T, PK555BA, PK5A7BA