PI504BZ Todos los transistores

 

PI504BZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PI504BZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 157 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

 Búsqueda de reemplazo de PI504BZ MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PI504BZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:843K  niko-sem
 pi504bz.pdf pdf_icon

PI504BZ

N-Channel Enhancement Mode PI504BZNIKO-SEM TO-251(IS) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreeDPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G2. DRAIN 30V 9m 47A 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 30 VGate-Source Voltage VGS 20 VTC = 25 C

Otros transistores... PG1010BD , PG1010BK , PG2910BD , PG2910BEA , PG2910BK , PG3510HEA , PG8E10AF , PG8E10AK , AON6414A , PI517BZ , PI5B3BA , PJ527BA , PJ601CA , PJ611CA , PJ616CA-T , PK555BA , PK5A7BA .

History: IRFP443R | FQB6N25TM | IXTA6N100D2 | FQB5N60TM | IPP042N03L | FQB6N15TM

 

 
Back to Top

 


 
.