Справочник MOSFET. PI504BZ

 

PI504BZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PI504BZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 157 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для PI504BZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PI504BZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:843K  niko-sem
 pi504bz.pdf pdf_icon

PI504BZ

N-Channel Enhancement Mode PI504BZNIKO-SEM TO-251(IS) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-FreeDPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G2. DRAIN 30V 9m 47A 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITSDrain-Source Voltage VDS 30 VGate-Source Voltage VGS 20 VTC = 25 C

Другие MOSFET... PG1010BD , PG1010BK , PG2910BD , PG2910BEA , PG2910BK , PG3510HEA , PG8E10AF , PG8E10AK , IRFB4110 , PI517BZ , PI5B3BA , PJ527BA , PJ601CA , PJ611CA , PJ616CA-T , PK555BA , PK5A7BA .

History: IPP60R600CP | APT6035BVFRG | VBMB1606 | BL4N60A-P | SVS70R420SE3TR | PC015HVA | CS4N65A3TDY

 

 
Back to Top

 


 
.