PK555BA Todos los transistores

 

PK555BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PK555BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 19 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 134 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
 

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PK555BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:325K  niko-sem
 pk555ba.pdf pdf_icon

PK555BA

PK555BA P-Channel Logic Level Enhancement Mode NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free DD1 D1 D1 D1PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID GG : GATE -30V 28m -19A D : DRAIN S : SOURCE #1 S1 S1 S1 G1SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -3

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