PK555BA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PK555BA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 19 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 134 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6P

 Búsqueda de reemplazo de PK555BA MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PK555BA datasheet

 ..1. Size:325K  niko-sem
 pk555ba.pdf pdf_icon

PK555BA

PK555BA P-Channel Logic Level Enhancement Mode NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free D D1 D1 D1 D1 PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G G GATE -30V 28m -19A D DRAIN S SOURCE #1 S1 S1 S1 G1 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -3

Otros transistores... PG8E10AK, PI504BZ, PI517BZ, PI5B3BA, PJ527BA, PJ601CA, PJ611CA, PJ616CA-T, IRF630, PK5A7BA, PK5B3BA, PK5B9BA, PK5C1BA, PK5E4BA, PK5G3EA, PK5H3EN, PK5L4BA