PK555BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PK555BA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 19 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 134 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
Búsqueda de reemplazo de PK555BA MOSFET
PK555BA Datasheet (PDF)
pk555ba.pdf

PK555BA P-Channel Logic Level Enhancement Mode NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free DD1 D1 D1 D1PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID GG : GATE -30V 28m -19A D : DRAIN S : SOURCE #1 S1 S1 S1 G1SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -3
Otros transistores... PG8E10AK , PI504BZ , PI517BZ , PI5B3BA , PJ527BA , PJ601CA , PJ611CA , PJ616CA-T , 7N65 , PK5A7BA , PK5B3BA , PK5B9BA , PK5C1BA , PK5E4BA , PK5G3EA , PK5H3EN , PK5L4BA .
History: SIA440DJ | AM7104N | QS8M51 | 25N10L-TF3-T | MME70R380PRH | CS12N65FA9R | IRFP440R
History: SIA440DJ | AM7104N | QS8M51 | 25N10L-TF3-T | MME70R380PRH | CS12N65FA9R | IRFP440R



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
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