PK555BA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PK555BA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 134 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6P

Аналог (замена) для PK555BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PK555BA даташит

 ..1. Size:325K  niko-sem
 pk555ba.pdf pdf_icon

PK555BA

PK555BA P-Channel Logic Level Enhancement Mode NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free D D1 D1 D1 D1 PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G G GATE -30V 28m -19A D DRAIN S SOURCE #1 S1 S1 S1 G1 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -3

Другие IGBT... PG8E10AK, PI504BZ, PI517BZ, PI5B3BA, PJ527BA, PJ601CA, PJ611CA, PJ616CA-T, IRF630, PK5A7BA, PK5B3BA, PK5B9BA, PK5C1BA, PK5E4BA, PK5G3EA, PK5H3EN, PK5L4BA