Справочник MOSFET. PK555BA

 

PK555BA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PK555BA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 134 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6P
 

 Аналог (замена) для PK555BA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PK555BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:325K  niko-sem
 pk555ba.pdf pdf_icon

PK555BA

PK555BA P-Channel Logic Level Enhancement Mode NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free DD1 D1 D1 D1PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID GG : GATE -30V 28m -19A D : DRAIN S : SOURCE #1 S1 S1 S1 G1SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -3

Другие MOSFET... PG8E10AK , PI504BZ , PI517BZ , PI5B3BA , PJ527BA , PJ601CA , PJ611CA , PJ616CA-T , 7N65 , PK5A7BA , PK5B3BA , PK5B9BA , PK5C1BA , PK5E4BA , PK5G3EA , PK5H3EN , PK5L4BA .

History: DHISJ11N65 | SI4200DY

 

 
Back to Top

 


 
.