PK5V8EN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PK5V8EN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 171 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 96 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1170 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0019 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6PX
Búsqueda de reemplazo de PK5V8EN MOSFET
PK5V8EN Datasheet (PDF)
pk5v8en.pdf
N-Channel Enhancement Mode PK5V8EN NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6PX Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 1.9m 171A ESD Protected Gate Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. D D D D Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switchi
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History: PK5G3EA
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