PK5V8EN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PK5V8EN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 171 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 96 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0019 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6PX

Аналог (замена) для PK5V8EN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PK5V8EN даташит

 ..1. Size:416K  niko-sem
 pk5v8en.pdf pdf_icon

PK5V8EN

N-Channel Enhancement Mode PK5V8EN NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6PX Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 1.9m 171A ESD Protected Gate Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. D D D D Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switchi

Другие IGBT... PK5B9BA, PK5C1BA, PK5E4BA, PK5G3EA, PK5H3EN, PK5L4BA, PK5M6EA, PK5V6BA, IRFP260, PK5X8BA, PK601CA, PK609CA, PK626HY, PK676BA, PK6A8BA, PK6B0SA, PK6M6DX