PK5V8EN - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PK5V8EN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 171 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 96 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1170 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0019 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6PX
Аналог (замена) для PK5V8EN
PK5V8EN Datasheet (PDF)
pk5v8en.pdf

N-Channel Enhancement Mode PK5V8EN NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6PX Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 1.9m 171A ESD Protected Gate Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. D D D D Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switchi
Другие MOSFET... PK5B9BA , PK5C1BA , PK5E4BA , PK5G3EA , PK5H3EN , PK5L4BA , PK5M6EA , PK5V6BA , 4435 , PK5X8BA , PK601CA , PK609CA , PK626HY , PK676BA , PK6A8BA , PK6B0SA , PK6M6DX .
History: PK626HY | PK5M6EA



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
mpsa65 | 2sa794 | 2sa816 | 2sc897 datasheet | 2sd389 | mp41 transistor | nkt275 datasheet | 2sd947