PK8A6EA Todos los transistores

 

PK8A6EA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PK8A6EA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 446 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0051 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
 

 Búsqueda de reemplazo de PK8A6EA MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PK8A6EA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:420K  niko-sem
 pk8a6ea.pdf pdf_icon

PK8A6EA

N-Channel Enhancement Mode PK8A6EA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 5.1m 70A ESD Protected Gate Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

Otros transistores... PK626HY , PK676BA , PK6A8BA , PK6B0SA , PK6M6DX , PK844DS , PK884DS , PK892DS , IRF530 , PK8B0BA , PK8C2BA , PK8D8BA , PKC46DY , PKCD0BB , PKCE9BB , PKCH6BB , PKCK2BB .

History: IPA50R280CE

 

 
Back to Top

 


 
.