PK8A6EA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PK8A6EA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 446 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0051 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6P

Аналог (замена) для PK8A6EA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PK8A6EA даташит

 ..1. Size:420K  niko-sem
 pk8a6ea.pdf pdf_icon

PK8A6EA

N-Channel Enhancement Mode PK8A6EA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 5.1m 70A ESD Protected Gate Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

Другие IGBT... PK626HY, PK676BA, PK6A8BA, PK6B0SA, PK6M6DX, PK844DS, PK884DS, PK892DS, IRF530, PK8B0BA, PK8C2BA, PK8D8BA, PKC46DY, PKCD0BB, PKCE9BB, PKCH6BB, PKCK2BB