PK8A6EA - аналоги и даташиты транзистора

 

PK8A6EA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PK8A6EA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 446 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0051 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6P
 

 Аналог (замена) для PK8A6EA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PK8A6EA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:420K  niko-sem
 pk8a6ea.pdf pdf_icon

PK8A6EA

N-Channel Enhancement Mode PK8A6EA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 5.1m 70A ESD Protected Gate Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

Другие MOSFET... PK626HY , PK676BA , PK6A8BA , PK6B0SA , PK6M6DX , PK844DS , PK884DS , PK892DS , IRF530 , PK8B0BA , PK8C2BA , PK8D8BA , PKC46DY , PKCD0BB , PKCE9BB , PKCH6BB , PKCK2BB .

History: BL7N60A-U | NTH4L027N65S3F | AONV125A60 | MTN4N65FP | FQPF18N50V2 | BL7N65A-U | AONV110A60

 

 
Back to Top

 


 
.