PK8D8BA Todos los transistores

 

PK8D8BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PK8D8BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 64 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 246 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
 

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PK8D8BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:419K  niko-sem
 pk8d8ba.pdf pdf_icon

PK8D8BA

N-Channel Enhancement Mode PK8D8BA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D30V 4.5m 70A GFeatures S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. D D D D Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G.

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History: STF20N65M5 | PHX45NQ11T | TSF840MR | SSF3428 | SE2060 | AP60AN750IN | HMS200N04D

 

 
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