PK8D8BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PK8D8BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 246 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6P
Аналог (замена) для PK8D8BA
PK8D8BA Datasheet (PDF)
pk8d8ba.pdf
N-Channel Enhancement Mode PK8D8BA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D30V 4.5m 70A GFeatures S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. D D D D Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. G.
Другие MOSFET... PK6B0SA , PK6M6DX , PK844DS , PK884DS , PK892DS , PK8A6EA , PK8B0BA , PK8C2BA , AON7506 , PKC46DY , PKCD0BB , PKCE9BB , PKCH6BB , PKCK2BB , PKCP4EB , PKCR0BB , PKCS0BB .
History: IRFP048R | IPL65R195C7 | FDU8782 | IPA60R160P6 | FQPF19N10L | FDU8796 | IPA60R280P6
History: IRFP048R | IPL65R195C7 | FDU8782 | IPA60R160P6 | FQPF19N10L | FDU8796 | IPA60R280P6
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
2sa726 transistor | 7506 mosfet | irlr8726 datasheet | ru7088r mosfet | mp40 transistor | fgpf4636 datasheet | 2sc1945 | c2383


