PKCE9BB Todos los transistores

 

PKCE9BB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PKCE9BB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 92 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 94 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 798 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00395 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
 

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PKCE9BB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  niko-sem
 pkce9bb.pdf pdf_icon

PKCE9BB

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PKCE9BB NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D-40V 3.95m -92A GFeatures S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. D D D D Optimized Gate Charge to Minimize Switchin

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History: NCE60P17AQ | HY3208M | STW28N60M2 | RJK6015DPM | LNH7N60D | IRF820LPBF

 

 
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