PKCE9BB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PKCE9BB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 92 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 94 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 798 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00395 Ohm
Encapsulados: PDFN5X6P
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PKCE9BB datasheet
pkce9bb.pdf
P-Channel Logic Level Enhancement Mode PKCE9BB NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D -40V 3.95m -92A G Features S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. D D D D Optimized Gate Charge to Minimize Switchin
Otros transistores... PK884DS, PK892DS, PK8A6EA, PK8B0BA, PK8C2BA, PK8D8BA, PKC46DY, PKCD0BB, TK10A60D, PKCH6BB, PKCK2BB, PKCP4EB, PKCR0BB, PKCS0BB, PKE02BB, PKE30BB, PKE94BB
History: 17P10G-TN3-R | 2N4869 | 13N50G-TF3-T | APT5030AVR
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
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