PKCE9BB Todos los transistores

 

PKCE9BB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PKCE9BB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 92 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 94 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 798 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00395 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
     - Selección de transistores por parámetros

 

PKCE9BB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  niko-sem
 pkce9bb.pdf pdf_icon

PKCE9BB

P-Channel Logic Level Enhancement Mode PKCE9BB NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D-40V 3.95m -92A GFeatures S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. D D D D Optimized Gate Charge to Minimize Switchin

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MRF5003 | IRFR120TR | RQK0608BQDQS | 4N65KG-T60-K | STP5N62K3 | AONS36316

 

 
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