PKCE9BB. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PKCE9BB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 92 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 94 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 798 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00395 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6P
Аналог (замена) для PKCE9BB
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
PKCE9BB даташит
pkce9bb.pdf
P-Channel Logic Level Enhancement Mode PKCE9BB NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D -40V 3.95m -92A G Features S Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. D D D D Optimized Gate Charge to Minimize Switchin
Другие IGBT... PK884DS, PK892DS, PK8A6EA, PK8B0BA, PK8C2BA, PK8D8BA, PKC46DY, PKCD0BB, TK10A60D, PKCH6BB, PKCK2BB, PKCP4EB, PKCR0BB, PKCS0BB, PKE02BB, PKE30BB, PKE94BB
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
ru7088r mosfet | mp40 transistor | fgpf4636 datasheet | 2sc1945 | c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent

