PKCP4EB Todos los transistores

 

PKCP4EB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PKCP4EB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 240 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 114 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1164 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0013 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
 

 Búsqueda de reemplazo de PKCP4EB MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PKCP4EB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:325K  niko-sem
 pkcp4eb.pdf pdf_icon

PKCP4EB

N-Channel Enhancement Mode PKCP4EB NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 24V 0.85m 240A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. ESD Protected Gate Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses

Otros transistores... PK8B0BA , PK8C2BA , PK8D8BA , PKC46DY , PKCD0BB , PKCE9BB , PKCH6BB , PKCK2BB , 4N60 , PKCR0BB , PKCS0BB , PKE02BB , PKE30BB , PKE94BB , PKE96BB , PKEA6EB , PM515BA .

History: PKCH6BB | IPA50R500CE | NCE2309 | MSF7N60 | IPA50R950CE | SUP10250E

 

 
Back to Top

 


 
.