Справочник MOSFET. PKCP4EB

 

PKCP4EB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PKCP4EB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 240 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 114 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1164 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0013 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PKCP4EB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:325K  niko-sem
 pkcp4eb.pdf pdf_icon

PKCP4EB

N-Channel Enhancement Mode PKCP4EB NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 24V 0.85m 240A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. ESD Protected Gate Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MCH3484 | DMN30H4D0L

 

 
Back to Top

 


 
.