PKCP4EB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PKCP4EB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 24 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 240 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 114 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1164 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0013 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6P

Аналог (замена) для PKCP4EB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PKCP4EB даташит

 ..1. Size:325K  niko-sem
 pkcp4eb.pdf pdf_icon

PKCP4EB

N-Channel Enhancement Mode PKCP4EB NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 24V 0.85m 240A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. ESD Protected Gate Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses

Другие IGBT... PK8B0BA, PK8C2BA, PK8D8BA, PKC46DY, PKCD0BB, PKCE9BB, PKCH6BB, PKCK2BB, 4N60, PKCR0BB, PKCS0BB, PKE02BB, PKE30BB, PKE94BB, PKE96BB, PKEA6EB, PM515BA