PKCP4EB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PKCP4EB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 240 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 114 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1164 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0013 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6P
Аналог (замена) для PKCP4EB
PKCP4EB Datasheet (PDF)
pkcp4eb.pdf

N-Channel Enhancement Mode PKCP4EB NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 24V 0.85m 240A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. ESD Protected Gate Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses
Другие MOSFET... PK8B0BA , PK8C2BA , PK8D8BA , PKC46DY , PKCD0BB , PKCE9BB , PKCH6BB , PKCK2BB , 10N65 , PKCR0BB , PKCS0BB , PKE02BB , PKE30BB , PKE94BB , PKE96BB , PKEA6EB , PM515BA .
History: DE375-102N10A | GSM3015S
History: DE375-102N10A | GSM3015S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2sc1945 | c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c