PKEA6EB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PKEA6EB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 79 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 66 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 557 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0041 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
Búsqueda de reemplazo de PKEA6EB MOSFET
PKEA6EB Datasheet (PDF)
pkea6eb.pdf

N-Channel Enhancement Mode PKEA6EB NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 4.1m 79A ESD Protected Gate Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.
Otros transistores... PKCK2BB , PKCP4EB , PKCR0BB , PKCS0BB , PKE02BB , PKE30BB , PKE94BB , PKE96BB , 2N60 , PM515BA , PM555BZ , PM567EA , PM569BA , PM5C3BA , PM5D8EA , PM5H7EA , PM5Q2EA .
History: HAT3032R | NCE80T420F
History: HAT3032R | NCE80T420F



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
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