PKEA6EB Todos los transistores

 

PKEA6EB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PKEA6EB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 79 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 66 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 557 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0041 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
 

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PKEA6EB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:441K  niko-sem
 pkea6eb.pdf pdf_icon

PKEA6EB

N-Channel Enhancement Mode PKEA6EB NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 4.1m 79A ESD Protected Gate Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

Otros transistores... PKCK2BB , PKCP4EB , PKCR0BB , PKCS0BB , PKE02BB , PKE30BB , PKE94BB , PKE96BB , IRFZ46N , PM515BA , PM555BZ , PM567EA , PM569BA , PM5C3BA , PM5D8EA , PM5H7EA , PM5Q2EA .

History: RTR020P02 | LNH04R035B | NDS8926 | BRCS080N10SHZC | WMN13N50C4 | RTQ045N03TR

 

 
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