PKEA6EB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PKEA6EB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 79 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 66 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 557 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0041 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6P

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PKEA6EB datasheet

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PKEA6EB

N-Channel Enhancement Mode PKEA6EB NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 4.1m 79A ESD Protected Gate Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

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