PKEA6EB - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PKEA6EB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 79 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 66 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 557 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0041 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6P
Аналог (замена) для PKEA6EB
PKEA6EB Datasheet (PDF)
pkea6eb.pdf

N-Channel Enhancement Mode PKEA6EB NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 4.1m 79A ESD Protected Gate Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.
Другие MOSFET... PKCK2BB , PKCP4EB , PKCR0BB , PKCS0BB , PKE02BB , PKE30BB , PKE94BB , PKE96BB , 2N60 , PM515BA , PM555BZ , PM567EA , PM569BA , PM5C3BA , PM5D8EA , PM5H7EA , PM5Q2EA .
History: PKE30BB | 1N60G-TMS-T | IXTH12N70X2 | 1N60L-T92-B
History: PKE30BB | 1N60G-TMS-T | IXTH12N70X2 | 1N60L-T92-B



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
jcs640c | kn2907a | ncep028n85 datasheet | sw50n06 | 2sa1232 | 2sc1940 | ftp08n06a | 2n3405