Справочник MOSFET. PKEA6EB

 

PKEA6EB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PKEA6EB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 79 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 66 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 557 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0041 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6P
 

 Аналог (замена) для PKEA6EB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PKEA6EB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:441K  niko-sem
 pkea6eb.pdf pdf_icon

PKEA6EB

N-Channel Enhancement Mode PKEA6EB NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 4.1m 79A ESD Protected Gate Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

Другие MOSFET... PKCK2BB , PKCP4EB , PKCR0BB , PKCS0BB , PKE02BB , PKE30BB , PKE94BB , PKE96BB , IRFZ46N , PM515BA , PM555BZ , PM567EA , PM569BA , PM5C3BA , PM5D8EA , PM5H7EA , PM5Q2EA .

History: RW1C026ZP | BRCS18N20DP | IRFP440R | CS12N65FA9R | QS8M51 | MME70R380PRH | 25N10L-TF3-T

 

 
Back to Top

 


 
.