PKEA6EB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PKEA6EB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 79 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 66 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 557 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0041 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6P

Аналог (замена) для PKEA6EB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PKEA6EB даташит

 ..1. Size:441K  niko-sem
 pkea6eb.pdf pdf_icon

PKEA6EB

N-Channel Enhancement Mode PKEA6EB NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 4.1m 79A ESD Protected Gate Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

Другие IGBT... PKCK2BB, PKCP4EB, PKCR0BB, PKCS0BB, PKE02BB, PKE30BB, PKE94BB, PKE96BB, SI2302, PM515BA, PM555BZ, PM567EA, PM569BA, PM5C3BA, PM5D8EA, PM5H7EA, PM5Q2EA