PM555BZ Todos los transistores

 

PM555BZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PM555BZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 124 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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PM555BZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:341K  niko-sem
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PM555BZ

P-Channel Enhancement Mode PM555BZ NIKO-SEM SOT-23 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY DV(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 29m -5A GSFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Applications

Otros transistores... PKCR0BB , PKCS0BB , PKE02BB , PKE30BB , PKE94BB , PKE96BB , PKEA6EB , PM515BA , RU6888R , PM567EA , PM569BA , PM5C3BA , PM5D8EA , PM5H7EA , PM5Q2EA , PM5Q4BA , PM5T4EA .

History: ME25N15AL-G | IXTA60N10T | DP3080 | NCE70T1K2I | HRP45N08K | NTB75N06L | 2N6760

 

 
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