PM555BZ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PM555BZ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 124 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для PM555BZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PM555BZ даташит

 ..1. Size:341K  niko-sem
 pm555bz.pdf pdf_icon

PM555BZ

P-Channel Enhancement Mode PM555BZ NIKO-SEM SOT-23 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 29m -5A G S Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Applications

Другие IGBT... PKCR0BB, PKCS0BB, PKE02BB, PKE30BB, PKE94BB, PKE96BB, PKEA6EB, PM515BA, 18N50, PM567EA, PM569BA, PM5C3BA, PM5D8EA, PM5H7EA, PM5Q2EA, PM5Q4BA, PM5T4EA