Справочник MOSFET. PM555BZ

 

PM555BZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PM555BZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 124 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для PM555BZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PM555BZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:341K  niko-sem
 pm555bz.pdf pdf_icon

PM555BZ

P-Channel Enhancement Mode PM555BZ NIKO-SEM SOT-23 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY DV(BR)DSS RDS(ON) ID -30V 29m -5A GSFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Applications

Другие MOSFET... PKCR0BB , PKCS0BB , PKE02BB , PKE30BB , PKE94BB , PKE96BB , PKEA6EB , PM515BA , 75N75 , PM567EA , PM569BA , PM5C3BA , PM5D8EA , PM5H7EA , PM5Q2EA , PM5Q4BA , PM5T4EA .

History: TP2435 | CED02N65A | IPA50R520CP | SVF2N65N | BUK714R1-40BT | 2SK3982-01MR

 

 
Back to Top

 


 
.