PM567EA Todos los transistores

 

PM567EA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PM567EA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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PM567EA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:259K  niko-sem
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PM567EA

P-Channel Enhancement Mode PM567EA NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 520m -0.8A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. ESD Protecti

Otros transistores... PKCS0BB , PKE02BB , PKE30BB , PKE94BB , PKE96BB , PKEA6EB , PM515BA , PM555BZ , 2N60 , PM569BA , PM5C3BA , PM5D8EA , PM5H7EA , PM5Q2EA , PM5Q4BA , PM5T4EA , PM5W6EA .

History: FQU11P06TU | SQD50N04-5M0 | VN1206N5

 

 
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Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

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