PM567EA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PM567EA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.56 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
Аналог (замена) для PM567EA
PM567EA Datasheet (PDF)
pm567ea.pdf
P-Channel Enhancement Mode PM567EA NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 520m -0.8A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. ESD Protecti
Другие MOSFET... PKCS0BB , PKE02BB , PKE30BB , PKE94BB , PKE96BB , PKEA6EB , PM515BA , PM555BZ , 20N50 , PM569BA , PM5C3BA , PM5D8EA , PM5H7EA , PM5Q2EA , PM5Q4BA , PM5T4EA , PM5W6EA .
History: IPI65R110CFD
History: IPI65R110CFD
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
sw50n06 | 2sa1232 | 2sc1940 | ftp08n06a | 2n3405 | 2n3567 | 2sc1226 | 2sd180


