PM567EA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PM567EA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для PM567EA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PM567EA даташит

 ..1. Size:259K  niko-sem
 pm567ea.pdf pdf_icon

PM567EA

P-Channel Enhancement Mode PM567EA NIKO-SEM SOT-23(S) Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 520m -0.8A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. ESD Protecti

Другие IGBT... PKCS0BB, PKE02BB, PKE30BB, PKE94BB, PKE96BB, PKEA6EB, PM515BA, PM555BZ, 20N50, PM569BA, PM5C3BA, PM5D8EA, PM5H7EA, PM5Q2EA, PM5Q4BA, PM5T4EA, PM5W6EA