PM5T4EA Todos los transistores

 

PM5T4EA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PM5T4EA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 49 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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PM5T4EA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:267K  niko-sem
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PM5T4EA

N-Channel Enhancement Mode Field PM5T4EA NIKO-SEM Effect Transistor SOT-23(S) Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 35m 4.3A ESD Protected Gate Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

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History: IPP126N10N3G | RTR025P02 | SM4441 | PM5Q4BA | SIHLU110 | BRCS120N03ZB | RTR025N05FRA

 

 
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