PM5T4EA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PM5T4EA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 49 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для PM5T4EA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PM5T4EA даташит

 ..1. Size:267K  niko-sem
 pm5t4ea.pdf pdf_icon

PM5T4EA

N-Channel Enhancement Mode Field PM5T4EA NIKO-SEM Effect Transistor SOT-23(S) Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 35m 4.3A ESD Protected Gate Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

Другие IGBT... PM555BZ, PM567EA, PM569BA, PM5C3BA, PM5D8EA, PM5H7EA, PM5Q2EA, PM5Q4BA, P60NF06, PM5W6EA, PP1410AD, PP1410AEA, PP1410AF, PP1410AK, PP1515AD, PP1515AF, PP1515AK