PM5W6EA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PM5W6EA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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PM5W6EA datasheet

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PM5W6EA

N-Channel Enhancement Mode PM5W6EA NIKO-SEM Field Effect Transistor SOT-23(S) Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 31m 5A Features ESD Protected Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Gate Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

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