PM5W6EA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PM5W6EA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PM5W6EA
PM5W6EA Datasheet (PDF)
pm5w6ea.pdf
N-Channel Enhancement Mode PM5W6EA NIKO-SEM Field Effect Transistor SOT-23(S) Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 31m 5A Features ESD Protected Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Gate Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: SHD218504B | STH160N4LF6-2
History: SHD218504B | STH160N4LF6-2
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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