PM5W6EA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PM5W6EA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для PM5W6EA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PM5W6EA даташит

 ..1. Size:364K  niko-sem
 pm5w6ea.pdf pdf_icon

PM5W6EA

N-Channel Enhancement Mode PM5W6EA NIKO-SEM Field Effect Transistor SOT-23(S) Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 30V 31m 5A Features ESD Protected Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Gate Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses.

Другие IGBT... PM567EA, PM569BA, PM5C3BA, PM5D8EA, PM5H7EA, PM5Q2EA, PM5Q4BA, PM5T4EA, 75N75, PP1410AD, PP1410AEA, PP1410AF, PP1410AK, PP1515AD, PP1515AF, PP1515AK, PP1C06AKB