PP1C06AKB Todos los transistores

 

PP1C06AKB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PP1C06AKB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 234 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1945 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0012 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
 

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PP1C06AKB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:361K  niko-sem
 pp1c06akb.pdf pdf_icon

PP1C06AKB

N-Channel Enhancement Mode PP1C06AKB NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6S Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G60V 1.2m 234A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS 20 V T

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