PP1C06AKB Todos los transistores

 

PP1C06AKB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PP1C06AKB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 234 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1945 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0012 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6P
 

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PP1C06AKB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:361K  niko-sem
 pp1c06akb.pdf pdf_icon

PP1C06AKB

N-Channel Enhancement Mode PP1C06AKB NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6S Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G60V 1.2m 234A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS 20 V T

Otros transistores... PM5W6EA , PP1410AD , PP1410AEA , PP1410AF , PP1410AK , PP1515AD , PP1515AF , PP1515AK , IRF1405 , PP2915AD , PP2915AK , PP2G10AS , PP2G10AT , PP2H06AK , PP2H06AT , PP2H06BK , PP4515BD .

History: FQPF5N30 | BLS65R165-B | BRCS26N50PA | FQD6N40TM | BSC018NE2LSI | AK4N60S | SI1405DL

 

 
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