PP1C06AKB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PP1C06AKB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 234 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1945 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0012 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6P

Аналог (замена) для PP1C06AKB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PP1C06AKB даташит

 ..1. Size:361K  niko-sem
 pp1c06akb.pdf pdf_icon

PP1C06AKB

N-Channel Enhancement Mode PP1C06AKB NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6S Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 60V 1.2m 234A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS 20 V T

Другие IGBT... PM5W6EA, PP1410AD, PP1410AEA, PP1410AF, PP1410AK, PP1515AD, PP1515AF, PP1515AK, IRF830, PP2915AD, PP2915AK, PP2G10AS, PP2G10AT, PP2H06AK, PP2H06AT, PP2H06BK, PP4515BD