PP1C06AKB - аналоги и даташиты транзистора

 

PP1C06AKB - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PP1C06AKB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 234 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1945 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0012 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6P
 

 Аналог (замена) для PP1C06AKB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PP1C06AKB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:361K  niko-sem
 pp1c06akb.pdf pdf_icon

PP1C06AKB

N-Channel Enhancement Mode PP1C06AKB NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6S Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G60V 1.2m 234A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS 20 V T

Другие MOSFET... PM5W6EA , PP1410AD , PP1410AEA , PP1410AF , PP1410AK , PP1515AD , PP1515AF , PP1515AK , P0903BDG , PP2915AD , PP2915AK , PP2G10AS , PP2G10AT , PP2H06AK , PP2H06AT , PP2H06BK , PP4515BD .

History: 12N80G-TF1-T | 19N10G-T3P-T | GSM4424

 

 
Back to Top

 


 
.