PP2G10AT Todos los transistores

 

PP2G10AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PP2G10AT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 183 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 72 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1241 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00298 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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PP2G10AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:317K  niko-sem
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PP2G10AT

N-Channel Enhancement Mode PP2G10AT NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-220 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D100V 2.98m 183A G1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V T

 7.1. Size:315K  niko-sem
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PP2G10AT

N-Channel Enhancement Mode PP2G10AS NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-263 Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G100V 2.7m 180A 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V T

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History: PP2915AK | 14N50G-TF1-T | 12P10G-TMS4-T | AUIRFN8405 | 19N10L-TM3-T | BRCS12N65BD | NCE9435

 

 
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