PP2G10AT - аналоги и даташиты транзистора

 

PP2G10AT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PP2G10AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 183 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1241 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00298 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для PP2G10AT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PP2G10AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:317K  niko-sem
 pp2g10at.pdf pdf_icon

PP2G10AT

N-Channel Enhancement Mode PP2G10AT NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-220 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D100V 2.98m 183A G1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V T

 7.1. Size:315K  niko-sem
 pp2g10as.pdf pdf_icon

PP2G10AT

N-Channel Enhancement Mode PP2G10AS NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-263 Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G100V 2.7m 180A 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V T

Другие MOSFET... PP1410AK , PP1515AD , PP1515AF , PP1515AK , PP1C06AKB , PP2915AD , PP2915AK , PP2G10AS , EMB04N03H , PP2H06AK , PP2H06AT , PP2H06BK , PP4515BD , PP4515BK , PP4515BL , PP4B10AD , PP4B10AF .

History: OSG80R300FF | AONY36304

 

 
Back to Top

 


 
.