Справочник MOSFET. PP2G10AT

 

PP2G10AT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PP2G10AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 183 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 72 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1241 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00298 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PP2G10AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:317K  niko-sem
 pp2g10at.pdf pdf_icon

PP2G10AT

N-Channel Enhancement Mode PP2G10AT NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-220 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D100V 2.98m 183A G1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V T

 7.1. Size:315K  niko-sem
 pp2g10as.pdf pdf_icon

PP2G10AT

N-Channel Enhancement Mode PP2G10AS NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-263 Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G100V 2.7m 180A 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V T

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: ZXMN0545G4 | SE4060 | IPA600N25NM3S

 

 
Back to Top

 


 
.