PP4B10BK MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PP4B10BK
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 127 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 754 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0054 Ohm
Encapsulados: PDFN5X6P
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PP4B10BK datasheet
pp4b10bk.pdf
N-Channel Enhancement Mode PP4B10BK NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D D D D D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 100V 4.2m 127A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source V
pp4b10bd.pdf
N-Channel Logic Level Enhancement PP4B10BD NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.GATE 4.2m 100V 127A G 2.DRAIN 3.SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 127 Continuous
pp4b10bs.pdf
N-Channel Logic Level Enhancement PP4B10BS NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor TO-263 Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.GATE 4.2m 100V 134A G 2.DRAIN 3.SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 134 Continuous
pp4b10bf.pdf
N-Channel Enhancement Mode PP4B10BF NIKO-SEM TO-220F Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G 100V 4.4m 78A 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25
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Liste
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