PP4B10BK. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PP4B10BK

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 127 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 754 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6P

Аналог (замена) для PP4B10BK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PP4B10BK даташит

 ..1. Size:255K  niko-sem
 pp4b10bk.pdf pdf_icon

PP4B10BK

N-Channel Enhancement Mode PP4B10BK NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D D D D D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 100V 4.2m 127A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source V

 7.1. Size:189K  niko-sem
 pp4b10bd.pdf pdf_icon

PP4B10BK

N-Channel Logic Level Enhancement PP4B10BD NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.GATE 4.2m 100V 127A G 2.DRAIN 3.SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 127 Continuous

 7.2. Size:190K  niko-sem
 pp4b10bs.pdf pdf_icon

PP4B10BK

N-Channel Logic Level Enhancement PP4B10BS NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor TO-263 Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.GATE 4.2m 100V 134A G 2.DRAIN 3.SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 134 Continuous

 7.3. Size:189K  niko-sem
 pp4b10bf.pdf pdf_icon

PP4B10BK

N-Channel Enhancement Mode PP4B10BF NIKO-SEM TO-220F Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G 100V 4.4m 78A 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PP4515BL, PP4B10AD, PP4B10AF, PP4B10AK, PP4B10AS, PP4B10AT, PP4B10BD, PP4B10BF, IRF840, PP4B10BS, PP9C15AD, PP9C15AF, PP9C15AK, PP9C15AT, PP9H06BD, PP9H06BEA, PP9H06BI