PQ5G4JN Todos los transistores

 

PQ5G4JN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PQ5G4JN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 201 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: WLCSP
 

 Búsqueda de reemplazo de PQ5G4JN MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PQ5G4JN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  niko-sem
 pq5g4jn.pdf pdf_icon

PQ5G4JN

PQ5G4JN NIKO-SEM Common Drain N-Channel WLCSP Power MOSFET Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)SSS RSS(ON) IS 24V 18m 9A 1. Source1 2. Gate1 3. Gate2 4. Source2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Source-Source Voltage VSSS 24 V Gate-Source Voltage VGSS 12 V Continuous Source

Otros transistores... PP9C15AF , PP9C15AK , PP9C15AT , PP9H06BD , PP9H06BEA , PP9H06BI , PP9H06BK , PP9H06BV , IRF640N , PQ5U2JN , PQ6S2JN , PQ6V2JN , PQ6X6JN , PR802BA33 , PR812BA33 , PT5B9BA , PT676BA .

History: IRFP32N50KPBF | STB25NM50N-1 | 8N80A | 2N60G-T6C-K | 2N60G-TM3-T | BLP04N08-P | BLP02N08-F

 

 
Back to Top

 


 
.