PQ5G4JN - аналоги и даташиты транзистора

 

PQ5G4JN - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PQ5G4JN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 201 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: WLCSP
 

 Аналог (замена) для PQ5G4JN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PQ5G4JN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  niko-sem
 pq5g4jn.pdf pdf_icon

PQ5G4JN

PQ5G4JN NIKO-SEM Common Drain N-Channel WLCSP Power MOSFET Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)SSS RSS(ON) IS 24V 18m 9A 1. Source1 2. Gate1 3. Gate2 4. Source2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Source-Source Voltage VSSS 24 V Gate-Source Voltage VGSS 12 V Continuous Source

Другие MOSFET... PP9C15AF , PP9C15AK , PP9C15AT , PP9H06BD , PP9H06BEA , PP9H06BI , PP9H06BK , PP9H06BV , IRF640N , PQ5U2JN , PQ6S2JN , PQ6V2JN , PQ6X6JN , PR802BA33 , PR812BA33 , PT5B9BA , PT676BA .

History: IPB04N03LAT | 25N10G-TF2-T | IPB60R099P7 | 2N60G-TM3-T | 25N10G-TF3-T | BLP12N10G-U | 2N60G-E-K08-5060-R

 

 
Back to Top

 


 
.