PQ5G4JN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PQ5G4JN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 24 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 201 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: WLCSP

Аналог (замена) для PQ5G4JN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PQ5G4JN даташит

 ..1. Size:268K  niko-sem
 pq5g4jn.pdf pdf_icon

PQ5G4JN

PQ5G4JN NIKO-SEM Common Drain N-Channel WLCSP Power MOSFET Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)SSS RSS(ON) IS 24V 18m 9A 1. Source1 2. Gate1 3. Gate2 4. Source2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Source-Source Voltage VSSS 24 V Gate-Source Voltage VGSS 12 V Continuous Source

Другие IGBT... PP9C15AF, PP9C15AK, PP9C15AT, PP9H06BD, PP9H06BEA, PP9H06BI, PP9H06BK, PP9H06BV, IRF640N, PQ5U2JN, PQ6S2JN, PQ6V2JN, PQ6X6JN, PR802BA33, PR812BA33, PT5B9BA, PT676BA