PQ6S2JN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PQ6S2JN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 65 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1342 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00135 Ohm
   Paquete / Cubierta: WLCSP

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PQ6S2JN

PQ6S2JN Datasheet (PDF)

..1. Size:354K niko-sem
pq6s2jn.pdf

Common Drain N-Channel PQ6S2JN NIKO-SEM Power MOSFET WLCSP Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)SSS RSS(ON) IS 12V 1.35m 26A 1. Gate1 2,3,4,5,6,7,. Source1 8. Gate2 9,10,11,12,13,14,. Source2 Top view Bottom view ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Source-Source Voltage VSSS 1

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Liste

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