PQ6S2JN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PQ6S2JN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1342 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00135 Ohm

Encapsulados: WLCSP

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PQ6S2JN datasheet

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PQ6S2JN

Common Drain N-Channel PQ6S2JN NIKO-SEM Power MOSFET WLCSP Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)SSS RSS(ON) IS 12V 1.35m 26A 1. Gate1 2,3,4,5,6,7,. Source1 8. Gate2 9,10,11,12,13,14,. Source2 Top view Bottom view ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Source-Source Voltage VSSS 1

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