PQ6S2JN Todos los transistores

 

PQ6S2JN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PQ6S2JN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1342 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00135 Ohm
   Paquete / Cubierta: WLCSP
 

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PQ6S2JN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:354K  niko-sem
 pq6s2jn.pdf pdf_icon

PQ6S2JN

Common Drain N-Channel PQ6S2JN NIKO-SEM Power MOSFET WLCSP Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)SSS RSS(ON) IS 12V 1.35m 26A 1. Gate1 2,3,4,5,6,7,. Source1 8. Gate2 9,10,11,12,13,14,. Source2 Top view Bottom view ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Source-Source Voltage VSSS 1

Otros transistores... PP9C15AT , PP9H06BD , PP9H06BEA , PP9H06BI , PP9H06BK , PP9H06BV , PQ5G4JN , PQ5U2JN , AO3400 , PQ6V2JN , PQ6X6JN , PR802BA33 , PR812BA33 , PT5B9BA , PT676BA , PT6J6BA , PV521BA .

History: AOTF600A60L | BLS60R360-D | 2N60L-T60-K | SPW17N80C3 | IRFP340PBF | 9N25AF | BLP03N10-B

 

 
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