PQ6S2JN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PQ6S2JN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1342 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00135 Ohm

Тип корпуса: WLCSP

Аналог (замена) для PQ6S2JN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PQ6S2JN даташит

 ..1. Size:354K  niko-sem
 pq6s2jn.pdf pdf_icon

PQ6S2JN

Common Drain N-Channel PQ6S2JN NIKO-SEM Power MOSFET WLCSP Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)SSS RSS(ON) IS 12V 1.35m 26A 1. Gate1 2,3,4,5,6,7,. Source1 8. Gate2 9,10,11,12,13,14,. Source2 Top view Bottom view ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Source-Source Voltage VSSS 1

Другие IGBT... PP9C15AT, PP9H06BD, PP9H06BEA, PP9H06BI, PP9H06BK, PP9H06BV, PQ5G4JN, PQ5U2JN, AO3400, PQ6V2JN, PQ6X6JN, PR802BA33, PR812BA33, PT5B9BA, PT676BA, PT6J6BA, PV521BA