Справочник MOSFET. PQ6S2JN

 

PQ6S2JN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PQ6S2JN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1342 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00135 Ohm
   Тип корпуса: WLCSP
 

 Аналог (замена) для PQ6S2JN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PQ6S2JN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:354K  niko-sem
 pq6s2jn.pdf pdf_icon

PQ6S2JN

Common Drain N-Channel PQ6S2JN NIKO-SEM Power MOSFET WLCSP Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)SSS RSS(ON) IS 12V 1.35m 26A 1. Gate1 2,3,4,5,6,7,. Source1 8. Gate2 9,10,11,12,13,14,. Source2 Top view Bottom view ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Source-Source Voltage VSSS 1

Другие MOSFET... PP9C15AT , PP9H06BD , PP9H06BEA , PP9H06BI , PP9H06BK , PP9H06BV , PQ5G4JN , PQ5U2JN , IRF3710 , PQ6V2JN , PQ6X6JN , PR802BA33 , PR812BA33 , PT5B9BA , PT676BA , PT6J6BA , PV521BA .

History: 4N80G-TF3-T | IRHLNM77110 | NTD4804N-1G | FCB125N65S3 | GSM4953S | FHP8N60A

 

 
Back to Top

 


 
.