PQ6V2JN Todos los transistores

 

PQ6V2JN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PQ6V2JN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 0.61 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 198 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm
   Paquete / Cubierta: WLCSP
 

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PQ6V2JN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:309K  niko-sem
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PQ6V2JN

PQ6V2JN NIKO-SEM Common Drain N-Channel WLCSP Power MOSFET Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)SSS RSS(ON) IS 30V 7.8m 14A 1,2,4,5 : Source1 3 : Gate1 8 : Gate2 6,7,9,10 : Source2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Source-Source Voltage VSSS 30 V Gate-Source Voltage VGSS 20 V

Otros transistores... PP9H06BD , PP9H06BEA , PP9H06BI , PP9H06BK , PP9H06BV , PQ5G4JN , PQ5U2JN , PQ6S2JN , AON6414A , PQ6X6JN , PR802BA33 , PR812BA33 , PT5B9BA , PT676BA , PT6J6BA , PV521BA , PV555BA .

History: FDU6688 | LSB55R050GT | UPA1950 | BSL207SP | S85N042RP | HM10P10D

 

 
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