PQ6V2JN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PQ6V2JN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 0.61 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 198 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm

Тип корпуса: WLCSP

Аналог (замена) для PQ6V2JN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PQ6V2JN даташит

 ..1. Size:309K  niko-sem
 pq6v2jn.pdf pdf_icon

PQ6V2JN

PQ6V2JN NIKO-SEM Common Drain N-Channel WLCSP Power MOSFET Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)SSS RSS(ON) IS 30V 7.8m 14A 1,2,4,5 Source1 3 Gate1 8 Gate2 6,7,9,10 Source2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Source-Source Voltage VSSS 30 V Gate-Source Voltage VGSS 20 V

Другие IGBT... PP9H06BD, PP9H06BEA, PP9H06BI, PP9H06BK, PP9H06BV, PQ5G4JN, PQ5U2JN, PQ6S2JN, IRFB4227, PQ6X6JN, PR802BA33, PR812BA33, PT5B9BA, PT676BA, PT6J6BA, PV521BA, PV555BA