Справочник MOSFET. PQ6V2JN

 

PQ6V2JN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PQ6V2JN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 0.61 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 198 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm
   Тип корпуса: WLCSP
 

 Аналог (замена) для PQ6V2JN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PQ6V2JN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:309K  niko-sem
 pq6v2jn.pdf pdf_icon

PQ6V2JN

PQ6V2JN NIKO-SEM Common Drain N-Channel WLCSP Power MOSFET Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)SSS RSS(ON) IS 30V 7.8m 14A 1,2,4,5 : Source1 3 : Gate1 8 : Gate2 6,7,9,10 : Source2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Source-Source Voltage VSSS 30 V Gate-Source Voltage VGSS 20 V

Другие MOSFET... PP9H06BD , PP9H06BEA , PP9H06BI , PP9H06BK , PP9H06BV , PQ5G4JN , PQ5U2JN , PQ6S2JN , AON6414A , PQ6X6JN , PR802BA33 , PR812BA33 , PT5B9BA , PT676BA , PT6J6BA , PV521BA , PV555BA .

 

 
Back to Top

 


 
.