PQ6X6JN Todos los transistores

 

PQ6X6JN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PQ6X6JN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 638 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.001375 Ohm
   Paquete / Cubierta: WLCSP
 

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PQ6X6JN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  niko-sem
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PQ6X6JN

Common Drain N-Channel PQ6X6JN NIKO-SEM Power MOSFET WLCSP Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)SSS RSS(ON) IS 12V 2.75m 19A 1,2,4,5. Source1 3. Gate1 6,7,9,10. Source2 Top view Bottom view 8. Gate2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Source-Source Voltage VSSS 12 V Gate-Source

Otros transistores... PP9H06BEA , PP9H06BI , PP9H06BK , PP9H06BV , PQ5G4JN , PQ5U2JN , PQ6S2JN , PQ6V2JN , P55NF06 , PR802BA33 , PR812BA33 , PT5B9BA , PT676BA , PT6J6BA , PV521BA , PV555BA , PV561BA .

History: RXH100N03 | CEF730G | SL10N65F | IRFS430 | APQ57SN10BH | DMN2400UFB4 | P8010BV

 

 
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