Справочник MOSFET. PQ6X6JN

 

PQ6X6JN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PQ6X6JN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 638 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001375 Ohm
   Тип корпуса: WLCSP

 Аналог (замена) для PQ6X6JN

 

 

PQ6X6JN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  niko-sem
 pq6x6jn.pdf

PQ6X6JN PQ6X6JN

Common Drain N-Channel PQ6X6JN NIKO-SEM Power MOSFET WLCSP Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)SSS RSS(ON) IS 12V 2.75m 19A 1,2,4,5. Source1 3. Gate1 6,7,9,10. Source2 Top view Bottom view 8. Gate2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Source-Source Voltage VSSS 12 V Gate-Source

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 60N06 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

 

 
Back to Top