Справочник MOSFET. PQ6X6JN

 

PQ6X6JN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PQ6X6JN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 638 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001375 Ohm
   Тип корпуса: WLCSP
 

 Аналог (замена) для PQ6X6JN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PQ6X6JN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:208K  niko-sem
 pq6x6jn.pdf pdf_icon

PQ6X6JN

Common Drain N-Channel PQ6X6JN NIKO-SEM Power MOSFET WLCSP Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)SSS RSS(ON) IS 12V 2.75m 19A 1,2,4,5. Source1 3. Gate1 6,7,9,10. Source2 Top view Bottom view 8. Gate2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Source-Source Voltage VSSS 12 V Gate-Source

Другие MOSFET... PP9H06BEA , PP9H06BI , PP9H06BK , PP9H06BV , PQ5G4JN , PQ5U2JN , PQ6S2JN , PQ6V2JN , P55NF06 , PR802BA33 , PR812BA33 , PT5B9BA , PT676BA , PT6J6BA , PV521BA , PV555BA , PV561BA .

History: IXFH21N50F | SUP18N15-95 | SDF10N60

 

 
Back to Top

 


 
.