PR802BA33 Todos los transistores

 

PR802BA33 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PR802BA33
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 74 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 66 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 699 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFET
 

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PR802BA33 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:330K  niko-sem
 pr802ba33.pdf pdf_icon

PR802BA33

N-Channel Enhancement Mode PR802BA33 NIKO-SEM Field Effect Transistor PowerFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D30V 4m 74A GSFeatures Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. 100% UIS Tested & 100% Rg Tested. Pa

Otros transistores... PP9H06BI , PP9H06BK , PP9H06BV , PQ5G4JN , PQ5U2JN , PQ6S2JN , PQ6V2JN , PQ6X6JN , IRFB4227 , PR812BA33 , PT5B9BA , PT676BA , PT6J6BA , PV521BA , PV555BA , PV561BA , PV563BA .

History: LND06R079 | RSM5853P | NCE65NF068LL | IXTM10N60 | FTK1N60I | SM6A24NSU | STD100NH02LT4

 

 
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