PR802BA33 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PR802BA33

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 74 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 66 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 699 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: POWERFET

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PR802BA33 datasheet

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PR802BA33

N-Channel Enhancement Mode PR802BA33 NIKO-SEM Field Effect Transistor PowerFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D 30V 4m 74A G S Features Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. 100% UIS Tested & 100% Rg Tested. Pa

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