Справочник MOSFET. PR802BA33

 

PR802BA33 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PR802BA33
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 74 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 66 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 699 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: POWERFET
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PR802BA33 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:330K  niko-sem
 pr802ba33.pdf pdf_icon

PR802BA33

N-Channel Enhancement Mode PR802BA33 NIKO-SEM Field Effect Transistor PowerFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D30V 4m 74A GSFeatures Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. 100% UIS Tested & 100% Rg Tested. Pa

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.