PR802BA33. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PR802BA33

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 74 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 66 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 699 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: POWERFET

Аналог (замена) для PR802BA33

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PR802BA33 даташит

 ..1. Size:330K  niko-sem
 pr802ba33.pdf pdf_icon

PR802BA33

N-Channel Enhancement Mode PR802BA33 NIKO-SEM Field Effect Transistor PowerFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D 30V 4m 74A G S Features Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. 100% UIS Tested & 100% Rg Tested. Pa

Другие IGBT... PP9H06BI, PP9H06BK, PP9H06BV, PQ5G4JN, PQ5U2JN, PQ6S2JN, PQ6V2JN, PQ6X6JN, 10N60, PR812BA33, PT5B9BA, PT676BA, PT6J6BA, PV521BA, PV555BA, PV561BA, PV563BA