PR812BA33 Todos los transistores

 

PR812BA33 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PR812BA33
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 161 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1305 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0012 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERFET
 

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PR812BA33 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:466K  niko-sem
 pr812ba33.pdf pdf_icon

PR812BA33

N-Channel Enhancement Mode PR812BA33 NIKO-SEM Field Effect Transistor PowerFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID4 30V 1.2m 161A DFeatures Halogen Free and RoHS compliant. G Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. G: 1 Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. D: 6 Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. SS: 2,3,4,5 100% UIS Te

Otros transistores... PP9H06BK , PP9H06BV , PQ5G4JN , PQ5U2JN , PQ6S2JN , PQ6V2JN , PQ6X6JN , PR802BA33 , IRFB4110 , PT5B9BA , PT676BA , PT6J6BA , PV521BA , PV555BA , PV561BA , PV563BA , PV5G3EA .

History: AP3N4R0H | NCE60N2K1R | SE20075

 

 
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