PR812BA33 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PR812BA33

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 161 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1305 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0012 Ohm

Encapsulados: POWERFET

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PR812BA33 datasheet

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PR812BA33

N-Channel Enhancement Mode PR812BA33 NIKO-SEM Field Effect Transistor PowerFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID4 30V 1.2m 161A D Features Halogen Free and RoHS compliant. G Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. G 1 Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. D 6 Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. S S 2,3,4,5 100% UIS Te

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