Справочник MOSFET. PR812BA33

 

PR812BA33 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PR812BA33
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 161 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1305 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0012 Ohm
   Тип корпуса: POWERFET
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PR812BA33 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:466K  niko-sem
 pr812ba33.pdf pdf_icon

PR812BA33

N-Channel Enhancement Mode PR812BA33 NIKO-SEM Field Effect Transistor PowerFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID4 30V 1.2m 161A DFeatures Halogen Free and RoHS compliant. G Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. G: 1 Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. D: 6 Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. SS: 2,3,4,5 100% UIS Te

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: BL33N25-A | SIA421DJ | 2SK3572-Z | 2SK1331 | IRF9310PBF-1 | 2SJ501 | 2N60L-K08-5060-R

 

 
Back to Top

 


 
.