Справочник MOSFET. PR812BA33

 

PR812BA33 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PR812BA33
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 161 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1305 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0012 Ohm
   Тип корпуса: POWERFET
 

 Аналог (замена) для PR812BA33

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PR812BA33 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:466K  niko-sem
 pr812ba33.pdf pdf_icon

PR812BA33

N-Channel Enhancement Mode PR812BA33 NIKO-SEM Field Effect Transistor PowerFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID4 30V 1.2m 161A DFeatures Halogen Free and RoHS compliant. G Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. G: 1 Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. D: 6 Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. SS: 2,3,4,5 100% UIS Te

Другие MOSFET... PP9H06BK , PP9H06BV , PQ5G4JN , PQ5U2JN , PQ6S2JN , PQ6V2JN , PQ6X6JN , PR802BA33 , IRFB4110 , PT5B9BA , PT676BA , PT6J6BA , PV521BA , PV555BA , PV561BA , PV563BA , PV5G3EA .

History: STFI15NM65N | OSG55R380AF | STT4P3LLH6

 

 
Back to Top

 


 
.