PR812BA33. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PR812BA33

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 161 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1305 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0012 Ohm

Тип корпуса: POWERFET

Аналог (замена) для PR812BA33

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PR812BA33 даташит

 ..1. Size:466K  niko-sem
 pr812ba33.pdf pdf_icon

PR812BA33

N-Channel Enhancement Mode PR812BA33 NIKO-SEM Field Effect Transistor PowerFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID4 30V 1.2m 161A D Features Halogen Free and RoHS compliant. G Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. G 1 Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. D 6 Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. S S 2,3,4,5 100% UIS Te

Другие IGBT... PP9H06BK, PP9H06BV, PQ5G4JN, PQ5U2JN, PQ6S2JN, PQ6V2JN, PQ6X6JN, PR802BA33, AON6414A, PT5B9BA, PT676BA, PT6J6BA, PV521BA, PV555BA, PV561BA, PV563BA, PV5G3EA