PT5B9BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PT5B9BA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 121 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1029 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de PT5B9BA MOSFET
PT5B9BA Datasheet (PDF)
pt5b9ba.pdf

P-Channel Enhancement Mode PT5B9BANIKO-SEM TO-220Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID2 -30V 5m -121A DGFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. S Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Applications
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History: IPD90N04S4-05
History: IPD90N04S4-05



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