PT5B9BA Todos los transistores

 

PT5B9BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PT5B9BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 121 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1029 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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PT5B9BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:218K  niko-sem
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PT5B9BA

P-Channel Enhancement Mode PT5B9BANIKO-SEM TO-220Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID2 -30V 5m -121A DGFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. S Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Applications

Otros transistores... PP9H06BV , PQ5G4JN , PQ5U2JN , PQ6S2JN , PQ6V2JN , PQ6X6JN , PR802BA33 , PR812BA33 , IRFP250N , PT676BA , PT6J6BA , PV521BA , PV555BA , PV561BA , PV563BA , PV5G3EA , PV609CA .

History: 8N65KG-TF1-T | NTMFS4823NT1G | AP86T02GJ-HF | AOW15S60 | MIC94050YM4TR | AUIRFP3077 | STY130NF20D

 

 
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